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            產品導航
            當前位置: 首頁 產品中心 可靠性測試設備 分立器件實驗設備 功率器件 功率器件動態老化系統 (DHTOL2000)

            功率器件動態老化系統(DHTOL2000)

            該系統可對MOSFET器件及第三代SiC、GaN器件進行動態老化和測試,老化過程中實時監測被測器件的峰值電流、工作電壓、導通電阻,并根據需要記錄老化試驗數據,導出試驗報表。

            功能
            • 高頻動態電壓、電流老化
            • 整機60s的全工位數據刷新
            • 獨特保護電路,單位器件擊穿不影響其他工位老化進程
            • 可定制區位老化電壓獨立控制功能,實現單工位老化超限剔除
            產品特性

            試驗溫區

            1 個

            試驗溫度

            室溫

            老化試驗區

            32區(16/32區可選)

            單區工位數

            20(典型)

            老化電壓范圍

            0~650V、精度:±(2%+0.1V)

            電流檢測范圍

            0~1A、精度:±(2%+0.05A)

            脈沖頻率

            50KHz~200kHz、精度:1%±2LSB

            占空比

            30%~70%、精度:2%

            導通電阻Rds(on)

            30mΩ~ 5Ω、精度:10%

            整機供電

            三相AC380V±38V

            最大功率

            25KW(典型)

            整機重量

            1100KG(典型)

            整機尺寸

            2075mm(W)×1350mm(D)×2020mm(H)

            適用標準

            GJB128 MIL-STD-750D AEC-Q101 AQG324 JESD22

            適用器件

            適用于各種大中小功率MOSFET管器件及第三代SiC、GaN器件

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